
- ¹ÝµµÃ¼ ȸ»ç ÃëÁ÷À» À§ÇÑ Áöħ¼ -
¿©·¯ »ê¾÷ºÐ¾ß¿¡¼ ±¹Á¦ °æÀï·ÂÀ» ÀҾ°í ÀÖ´Â ¿ì¸®³ª¶ó¿¡¼ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷Àº À¯ÀÏÇÏ°Ô ¼¼°èÀûÀ¸·Î ±â¼úÀû ¿ìÀ§¿Í ½ÃÀå Á¡À¯À²À» °¡Áö°í ÀÖ´Â ºÐ¾ßÀÌ´Ù. ƯÈ÷, 4Â÷»ê¾÷Çõ¸íÀÇ µµ·¡¿¡ µû¶ó »ý°Ü³ª´Â ¶Ç ¾ÕÀ¸·Î »ý°Ü³¯ ¿©·¯ °¡Áö »õ·Î¿î »ê¾÷µéÀº ¹ÝµµÃ¼¸¦ ÇʼöÀûÀ¸·Î ÇÊ¿ä·Î Çϰí ÀÖ´Ù. õ¿¬ÀÚ¿øÀÌ ºÎÁ·ÇÏ°í ¡°»ç¶÷¡±À̶ó´Â ÀÚ¿ø ¹Û¿¡ ¾ø´Â ¿ì¸®³ª¶ó´Â ÀÌ·¯ÇÑ ±â¼ú, »ç°í, ¹®È, °ü½ÀÀÇ º¯È¿¡ ¼öµ¿ÀûÀ¸·Î ²ø·Á°¡±âº¸´Ù´Â À̸¦ ¸®µåÇØ ³ª°¡¾ß ÇÒ °ÍÀ̸ç, ÇöÀç ¿ì¸®³ª¶óÀÇ °æÁ¦¸¦ ¶°¹ÞÄ¡°í ÀÖ´Â ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÌ Á¶±ÝÀÌ¶óµµ ´õ ¿À·¡ ¼¼°è¿¡¼ ¼±µµÀûÀÎ À§Ä¡¸¦ Â÷ÁöÇÏ°Ô Çϱâ À§Çؼ´Â ¹«¾ùº¸´Ù ÀηÂÀÇ °³¹ß°ú ±³À°ÀÌ ÃÖ¿ì¼±µÇ¾î¾ß ÇÑ´Ù. º» µµ¼´Â ±×·¯ÇÑ ¿ø´ëÇÑ ¸ñÇ¥¸¦ °¡Áö°í ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦ÀÛÀ» À§ÇÑ 8´ë °øÁ¤ ÇϳªÇϳªÀÇ ¹è°æ°ú ±× ¿ø¸®¿¡ ´ëÇØ ±âÃÊÀûÀÎ ÈÇаú ¹°¸®Àû Áö½ÄÀÌ ÀÖÀ¸¸é À̸¦ ½±°Ô ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ¼³¸íÇÏ¿´´Ù. 1ÀåºÎÅÍ 8Àå¿¡¼´Â ½Ç¸®ÄÜ °áÁ¤ Çü¼º, Æ÷Å丮¼Ò±×·¡ÇÇ, ¿¡Äª, CMP, »êÈ, È®»ê, À̿ ÁÖÀÔ, ¹Ú¸· ÁõÂø µîÀÇ °øÁ¤À» ´Ù·ç°í ÀÖÀ¸¸ç, 9Àå¿¡¼´Â ¿©·¯ Çö»óÀÇ °æÀï°úÁ¤ ¾È¿¡¼ °áÁ¤µÇ´Â ¼ö¸¹Àº ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤µéÀÇ °á°ú¸¦ Á¤¸®ÇÑ´Ù. º» µµ¼´Â ´ëÇÐ ¶Ç´Â ´ëÇпø¿¡¼ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤°ú °ü·ÃµÈ ±³°ú¿ëÀ¸·Îµµ ÇлýµéÀÇ ±³À°À» À§ÇØ »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ´Ù¸¥ ÇÑÆíÀ¸·Î´Â ÇâÈÄ ¹ÝµµÃ¼ ȸ»ç ¹× °ü·ÃµÈ ¾÷°è¿¡ ÃëÁ÷À» ÁغñÇÏ´Â À̵鿡°Ô ¹ÝµµÃ¼ Á¦ÀÛ°øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØÀÇ ÆøÀ» ³ÐÇô ÁÖ´Â ¿ªÇÒÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ̶ó°í ¹Ï´Â´Ù.
<Â÷·Ê>
Á¦1Àå ¹ÝµµÃ¼
1. ¹ÝµµÃ¼(Semiconductor)¶õ?
1.1 ¿¡³ÊÁö ¹êµå
1.2 ½Ç¸®ÄÜ °áÁ¤
1.3 ½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ
1.4 ¹ÝµµÃ¼ Á¦ÀÛ °úÁ¤ÀÇ º¯Ãµ
1.5 ¹ÝµµÃ¼ Á¦ÀÛÀ» À§ÇÑ ´ÜÀ§°øÁ¤
Á¦2Àå Æ÷Å丮¼Ò±×·¡ÇÇ
2. Æ÷Å丮¼Ò±×·¡ÇÇ(Photolithography)
2.1 °³¿ä
2.2 Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ®
2.3 Æ÷Å丶½ºÅ©¿Í ³ë±¤ ½Ã½ºÅÛ
2.4 ±¤¿ø
2.5 ±âŸ Æ÷Å丮¼Ò±×·¡ÇÇ ±â¼ú
2.6 Æ÷Å丮¼Ò±×·¡ÇÇ °øÁ¤»ó ¹®Á¦Á¡
Á¦3Àå ¿¡Äª
3. ¿¡Äª(Etching)
3.1 °³¿ä
3.2 ½À½Ä ¿¡Äª
3.3 °Ç½Ä ¿¡Äª
3.4 ½À½Ä¿¡Äª°ú °Ç½Ä¿¡ÄªÀÇ ºñ±³
3.5 °íüÀÇ °áÁ¤ ¸é°ú ¿¡ÄªÀÇ ¹æÇ⼺
Á¦4Àå CMP
4. CMP(Chemical Mechanical Polishing)
4.1 °³¿ä
4.2 CMP ½½·¯¸®(slurry)¿Í ¹ÝÀÀ ¸ÞÄ«´ÏÁò
4.3 ¿¬¸¶ ÆÐµå(polishing pad)
4.4 CMP °øÁ¤ÀÇ À̽´
4.5 CMP°¡ Àû¿ëµÇ´Â °øÁ¤ÀÇ ¿¹
Á¦5Àå »êÈ
5. »êÈ(Oxidation)
5.1 °³¿ä
5.2 SiÀÇ »êȹÝÀÀ
5.3 SiÀÇ »êÈ¿¡ ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ¡´Â ¿äÀÎ
Á¦6Àå È®»ê
6. È®»ê(Diffusion)
6.1 È®»ê °øÁ¤ ¹× ¹ÝÀÀ
6.2 FickÀÇ ¹ýÄ¢°ú È®»ê°è¼ö
6.3 È®»êÀÇ ¿¹
6.4 Á¢ÇÕ(Junction)
6.5 Àü±âÀû ¼ºÁú
Á¦7Àå À̿ ÁÖÀÔ
7. À̿ ÁÖÀÔ(Ion Implantation)
7.1 À̿ ÁÖÀÔ °øÁ¤¿¡ µû¸¥ ³óµµ ÇÁ·ÎÆÄÀÏ
7.2 À̿ ÁÖÀÔ ÈÄÀÇ µµÆÝÆ® ³óµµ ÇÁ·ÎÆÄÀÏ º¯È
7.3 °íÁýÀûȸ¦ À§ÇÑ À̿ ÁÖÀÔ °øÁ¤
7.4 À̿ ÁÖÀÔ °øÁ¤ÀÇ ¿¹
Á¦8Àå ¹Ú¸· ÁõÂø
8. ¹Ú¸· ÁõÂø(Thin Film Deposition)
8.1 ±âü Ãæµ¹ ÀÌ·Ð
8.2 ¹°¸®Àû ±â»ó ÁõÂø(Physical vapor deposition)
8.3 ÈÇÐ ±â»ó ÁõÂø(Chemical vapor deposition)
Á¦9Àå ¸ÎÀ½¸»
<ÀúÀÚ> ÀÓ»ó¿ì
Çö ¿¬¼¼´ëÇб³ Ȱø»ý¸í°øÇаú ±³¼öÀÌ´Ù. ¿¬¼¼´ëÇб³ ÈÇаøÇаú¸¦ Á¹¾÷Çϰí, ÀϺ» µ¿°æ´ëÇÐ ÈÇнýºÅÛ°øÇаú¿¡¼ ¹Ú»çÇÐÀ§¸¦ ¹Þ¾Ò´Ù. ±× ÈÄ, ¹Ì±¹ Stanford UniversityÀÇ Department of Electrical Engineering¿¡¼ ¿¬±¸¿øÀ¸·Î ÀçÁ÷ÇÏ¿´À¸¸ç, ¹Ì±¹ Motorola »ç¿¡¼ Principal StaffScientist·Î Apple Power PCÀÇ device integrationÀ» ´ã´çÇÏ¿´´Ù. ÁÖ ¿¬±¸ ºÐ¾ß´Â ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤, žçÀüÁö Á¦ÀÛ, ³ª³ë¼ÒÀÚ Á¦ÀÛ µîÀ̸ç, ƯÈ÷ ¹ÝµµÃ¼ Àç·á ¹× °øÁ¤ÀÇ Ç¥¸é Çö»ó°ú °ü·ÃµÈ ¸¹Àº ³í¹® ¹× ƯÇ㸦 º¸À¯Çϰí ÀÖ´Ù. ´ëÇп¡¼´Â ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤°ú Àç·á, ¿Àü´Þ µîÀÇ °ú¸ñÀ» °¡¸£Ä¡°í ÀÖ´Ù.